DS1230Y-150+DALLAS 集成电路

描述

产品描述

DS1230Y-150+是达拉斯半导体公司生产的集成电路。IC是非易失性SRAM（NVSRAM），这意味着它将SRAM的功能与非易失存储器的功能相结合。

特征

非易失性存储器

备用电池

256kbit容量

访问时间150ns

低功耗

工业温度范围

DS1230Y-150+是由达拉斯半导体公司（现为Maxim integrated）制造的非易失性SRAM（NVSRAM）集成电路。它将SRAM的功能与EEPROM的功能相结合，提供高速读/写访问和非易失性数据存储。

DS1230 256k非易失性SRAM是262144位的全静态非易失SRAM，由32768个字乘8位组成。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路不断监测VCC是否超出容差条件。当出现这种情况时，锂能源会自动打开，并无条件启用写保护，以防止数据损坏。DIP封装DS1230器件可以代替直接符合流行的字节28引脚DIP标准的现有32k x 8静态RAM。DIP器件还与28256个EEPROM中的引脚相匹配，在提高性能的同时允许直接替换。低端模块封装中的DS1230设备是专门为表面安装应用而设计的。可以执行的写入周期数量没有限制，微处理器间无需额外的支持电路。

读取模式

每当WE（写入启用）处于非活动状态（高），CE（芯片启用）和OE（输出启用）处于活动状态（低）时，DS1230设备都会执行读取周期。由15个地址输入（A0-A14）指定的唯一地址定义了32768字节数据中的哪一个要访问。在最后一个地址输入信号稳定后的tACC（访问时间）内，有效数据将可用于所有数据输出驱动器，前提是同时满足CE和OE（输出启用）访问时间。如果不满足OE和CE访问时间，则必须从随后出现的信号（CE或OE）测量数据访问，并且限制参数为CE的tCO或OE的tOE，而不是地址访问。

写入模式

每当地址输入稳定后WE和CE信号激活（低）时，DS1230设备就会执行写入周期。随后出现的CE或WE的下降沿将决定写入周期的开始。写入周期由CE或WE的较早上升沿终止。所有地址输入必须在整个写入周期内保持有效。WE必须在最短恢复时间（tWR）内返回高状态，然后才能启动另一个循环。OE控制信号应在写入周期内保持非激活（高）状态，以避免总线争用。但是，如果输出驱动器被启用（CE和OE激活），则WE将从其下降沿禁用tDW中的输出。

数据保留模式

DS1230AB为大于4.75伏的VCC提供全功能能力，并提供4.5伏的写保护。DS1230Y为大于4.5伏的VCC和4.25伏的写保护提供全功能。数据在没有VCC的情况下保持，无需任何额外的支持电路。非易失性静态RAM持续监控VCC。如果电源电压衰减，NV SRAM会自动进行写保护，所有输入变为“不在乎”，所有输出变为高阻抗。当VCC降至约3.0伏以下时，电源开关电路将锂能源连接到RAM以保留数据。在通电期间，当VCC上升到大约3.0伏以上时，电源开关电路将外部VCC连接到RAM，并断开锂能源。

当DS1230AB的VCC超过4.75伏，DS1230Y的VCC超出4.5伏时，RAM可以恢复正常运行。RESHNESS SEAL每个DS1230设备，其锂能源断开，保证了完整的能源容量。当VCC第一次以大于4.25伏的电平施加时，锂能源被启用以进行电池备份操作。

应用领域

数据存储

工业控制系统

汽车系统